Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Ohne Kühlkörper - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, datenübertragungsrate: 7450 MB/s (lesen) / 6900 MB/s (schreiben), IOPS: 1400000 IOPS (lesen) / 1550000 IOPS (schreiben), 4GB LPDDR4 RAM, größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Hardware-Verschlüsselung: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, schwarz: sort

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Leider müssen wir die Bestellmenge aufgrund derzeit limitierter Verfügbarkeit einschränken. The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.

Generell

Hersteller Samsung Waren-Nr. 3103448 Modell MZ-V9P4T0BW EAN 8806094947205 Produktbeschreibung Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm Gewicht 9 g

Technische Daten

Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 2.3 mm Gewicht 9 g Leistung Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 1550000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 1600000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Stromversorgung Energieverbrauch 5.5 watt (Durchschnitt) 55 mW (Leerlauf) Software & Systemanforderungen Software inbegriffen Samsung Magician Software Verschiedenes Kennzeichnung IEEE 1667 Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz (in Betrieb) 0,5 ms Sinushalbwellen Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.